6月3日消息,Evatec表示,公司已推出多種薄膜沉積設(shè)備解決方案,可提升Micro LED芯片生產(chǎn)良率。
圖片來源:Evatec
資料顯示,Evatec是一家專注于薄膜沉積技術(shù)的瑞士半導(dǎo)體設(shè)備商,其技術(shù)廣泛應(yīng)用于先進(jìn)封裝、半導(dǎo)體、光電和光學(xué)領(lǐng)域,對物聯(lián)網(wǎng)、5G通信、節(jié)能電子設(shè)備、汽車LED照明、手機人臉識別等現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展中起到了關(guān)鍵作用。Evatec 通過其專業(yè)技術(shù),可為客戶提供從研發(fā)到量產(chǎn)的薄膜工藝解決方案。
Evatec指出,Micro LED芯片生產(chǎn)工藝與傳統(tǒng)LED在多個方面存在顯著區(qū)別,這些差異使Micro LED在制造過程中需要更高的技術(shù)要求和更精細(xì)的工藝控制。
例如,在尺寸方面,Micro LED芯片一般小于100μm,因此Micro LED的生產(chǎn)要求更高的制備精度和更精細(xì)的制造工藝,比如更薄的薄層生長、沉積與控制,更高的系統(tǒng)穩(wěn)定性,跟高的顆粒度控制等。
在缺陷修復(fù)方面,由于Micro LED的尺寸極小,其缺陷可修復(fù)性幾乎為零,所以要求在生產(chǎn)過程中具有更高的良品率。
Evatec表示,Micro LED的芯片制造要求與傳統(tǒng)LED有著明顯區(qū)別,現(xiàn)階段Micro LED芯片制造過程中,關(guān)鍵控制參數(shù)的優(yōu)先級也發(fā)生了變化。
圖片來源:Evatec
為能夠提升Micro LED生產(chǎn)良率,Evatec推出適用于Micro LED芯片制造的幾種薄膜沉積解決方案,均使用半導(dǎo)體級別鍍膜設(shè)備,兼容4/6/8吋晶圓鍍膜,并實現(xiàn)cassette to cassette與SMIF標(biāo)準(zhǔn)。
其中,Evatec Clusterline® 200E, 是一款集群式濺射鍍膜設(shè)備,支持WTi, Ni, Ag等金屬工藝沉積。此外,設(shè)備搭載Evatec專利FTC技術(shù),可實現(xiàn)ITO薄膜在GaN上的無損傷沉積,保證最低的顆粒度(particle)控制的同時和保證了優(yōu)異的沉積均勻性水平。該設(shè)備現(xiàn)已獲得關(guān)鍵客戶的認(rèn)證。
Evatec Clusterline® 200E(圖片來源:Evatec)
Evatec Clusterline® BPME, 是一款批量式濺射鍍膜設(shè)備,支持低損傷ITO濺射沉積,為Micro LED制備高包覆性DBR反射膜沉積,同時保證最佳的顆粒度(particle)水平。此外,Evatec為Micro LED應(yīng)用研發(fā)的Hybrid DBR可有大幅度減薄傳統(tǒng)DBR的膜厚,為Micro LED制備提供支持。
Evatec Clusterline®BPME(圖片來源:Evatec)
Evatec BAK941,為金屬蒸發(fā)Lift off工藝量身定做的全自動(cassette to cassette)批量式蒸發(fā)沉積解決方案,可避免人為不確定因素,設(shè)備的工藝腔始終保持真空,高真空環(huán)境提高了顆粒度控制水平以及膜層的致密性。
Evatec BAK941(圖片來源:Evatec)
(來源:Evatec、LEDinside整理)
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