目前最具發(fā)展?jié)摿Φ牟牧霞礊榫邆涓吖β始案哳l率特性的寬禁帶（Wide Band Gap；WBG）半導體，包含碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN），主要應用大宗為電動車、快充市場。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究推估，第三代功率半導體產(chǎn)值將從2021年的9.8億美元，至2025年將成長至47.1億美元，年復合成長率達48%。

SiC適合高功率應用，如儲能、風電、光伏、電動車、新能源車等對電池系統(tǒng)具高度要求的產(chǎn)業(yè)。其中，電動車備受市場關(guān)注，不過目前市售電動車所搭載的功率半導體多數(shù)為硅基材料（Si base），如Si IGBT、Si MOSFET，但由于電動車電池動力系統(tǒng)逐步往800V以上的高電壓發(fā)展，相較于Si，SiC在高壓的系統(tǒng)中有更好的性能體現(xiàn)，有望逐步替代部分Si base設(shè)計，大幅提高汽車性能并優(yōu)化整車架構(gòu)，預估SiC功率半導體至2025年可達33.9億美元。

GaN適合高頻率應用，包括通訊裝置，以及用于手機、平板、筆電的快充。相較于傳統(tǒng)快充，GaN快充擁有更大的功率密度，故充電速度更快，且體積更小便于攜帶，吸引不少OEM、ODM業(yè)者加入而開始高速發(fā)展，預估GaN功率半導體至2025年可達13.2億美元。

TrendForce集邦咨詢特別提到，相較傳統(tǒng)Si base，第三代功率半導體襯底制造難度較高且成本較為昂貴，目前在各大襯底供應商的開發(fā)下，包括Wolfspeed、II-VI、Qromis等業(yè)者陸續(xù)擴增產(chǎn)能，并將在2022下半年量產(chǎn)8吋襯底，預期第三代功率半導體未來幾年產(chǎn)值仍有成長的空間。（文：TrendForce集邦咨詢）

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