隨著Micro LED逐步走近大眾視野，跨越瓶頸問題顯得愈加迫切，其中就包括紅光Micro LED的生產(chǎn)和效率問題。

InGaN材料潛力大，但效率提升仍受限

多項(xiàng)研究表明，基于磷化物結(jié)構(gòu)的紅光LED，外量子效率等性能會(huì)隨著芯片尺寸縮小而降低，尤其是當(dāng)尺寸微縮至10μm以下時(shí)，因長載流子擴(kuò)散長度及側(cè)壁高密度表面缺陷，性能損失會(huì)更為嚴(yán)重。不過，這一難題在近年來接連取得重要突破。

美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校（UCSB）、阿卜杜拉國王科學(xué)技術(shù)大學(xué)（KAUST）、GaN Micro LED材料開發(fā)商Porotech、半導(dǎo)體材料商Soitec、首爾偉傲世、晶能光電等不少全球?qū)W者、研究者和技術(shù)開發(fā)商的研發(fā)成果均表明，基于InGaN材料制造的紅光Micro LED擁有更好的性能，在助力實(shí)現(xiàn)Micro LED全彩化方面前景可期。

但需要注意的是，現(xiàn)階段紅光Micro LED的效率仍受限，特別是尺寸小于10μm以下的芯片效率還遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到AR/VR、智能眼鏡、抬頭顯示器等Micro LED終端顯示設(shè)備的要求。上述提及的UCSB、KAUST、晶能光電等當(dāng)下也在積極通過優(yōu)化生產(chǎn)步驟、提升材料質(zhì)量等不同方式來提升外量子效率。

法國團(tuán)隊(duì)開發(fā)新型結(jié)構(gòu)，有助于提升紅光芯片效率

最近，由Soitec與格勒諾布爾-阿爾卑斯大學(xué)（Université Grenoble Alpes，UGA）組成的研究團(tuán)隊(duì)在基于隱埋氧化物的InGaN層上采用外延層沉積技術(shù)開發(fā)InGaN基紅光LED，相比在傳統(tǒng)襯底生長的紅光LED，產(chǎn)生的應(yīng)力更少。換句話說，通過減少InGaN層的應(yīng)力，可以提升InGaN基紅光Micro LED的效率。

據(jù)介紹，這個(gè)結(jié)構(gòu)是通過Soitec專有的Smart Cut工藝構(gòu)成，由于面內(nèi)晶格參數(shù)增高，銦合并能力增強(qiáng)，InGaN量子阱能夠跨越整個(gè)可見光光譜范圍。與此同時(shí)，InGaN結(jié)構(gòu)還能夠降低器件活動(dòng)區(qū)的內(nèi)部電場，有利于實(shí)現(xiàn)更高的效率。

去年，該法國研究團(tuán)隊(duì)公布了基于InGaN Smart Cut襯底的紅光Micro LED的研究成果，彼時(shí)研發(fā)的芯片尺寸范圍為300μm×300μm到50μm×50μm。而最新的研究成果獲得了突破，芯片尺寸縮小至10μm。

在最新研究中，研究者團(tuán)隊(duì)采用兩個(gè)變量。一個(gè)是銦含量為8%的InGaN種子層，厚度為120nm；另一個(gè)是銦含量為11%的InGaN種子層，厚度同樣是120nm。兩種都具有曲面臺(tái)階襯底形狀及V形缺陷，缺陷密度及尺寸會(huì)隨著銦含量的增加而提高。例如，銦含量增加使得V形凹面的尺寸從3×107cm-2及100nm擴(kuò)大至2×108cm-2及130nm。

在芯片生產(chǎn)過程中，首先是將襯底裝載在MOCVD反應(yīng)腔中，再沉積一個(gè)包括15周期超晶格的外延堆疊層、一個(gè)多量子阱活動(dòng)區(qū)及一個(gè)電子阻擋層。

上圖展示的是超晶格的細(xì)節(jié)圖，N型In0.03Ga0.97N/GaN為活動(dòng)區(qū)提供基礎(chǔ)，包含了5層2nm厚的In0.4Ga0.6N量子阱，由7.5nm厚的In0.03Ga0.97N阻擋層隔開。其中，15nm厚的電子阻擋層由Al0.1Ga0.9N制成。用高清透射式電子顯微鏡觀察該異質(zhì)結(jié)構(gòu)，能夠發(fā)現(xiàn)由于局部應(yīng)力松弛，活動(dòng)區(qū)及電子阻擋層中有額外的錯(cuò)位。

此前，研究團(tuán)隊(duì)采用傳統(tǒng)LED芯片制備工藝來生產(chǎn)300μm×300μm至10μm×10μm的LED。而之前制備的器件組合受V形缺陷的限制，即當(dāng)它們經(jīng)過整個(gè)結(jié)構(gòu)時(shí)，就會(huì)從陽極到陰極之間產(chǎn)生一個(gè)電氣通路。為了解決這個(gè)問題，用于生產(chǎn)最新一代發(fā)射器的制造工藝包括增加一層保形層，通過化學(xué)機(jī)械拋光實(shí)現(xiàn)平面化。

同時(shí)，光致發(fā)光測量表明，襯底中銦含量的提升可推動(dòng)Micro LED發(fā)射峰從635nm升高至653nm，波長更長，晶格參數(shù)就更高。

光提取效率、工作電壓、晶體質(zhì)量是關(guān)鍵影響因素

從終端應(yīng)用層面來看，Micro LED要在潛力較大的VR/AR顯示器等應(yīng)用中采用，尺寸需要縮小至10微米以下，且據(jù)UCSB介紹，外量子效率應(yīng)至少為2%-5%才能滿足Micro LED顯示器的需求。

研究團(tuán)隊(duì)指出，10μm的Micro LED芯片在8A·cm-2條件下，外量子效率最高僅為0.14%，低于UCSB團(tuán)隊(duì)0.2%的研發(fā)成果，而這主要是受光提取效率低的影響。

具體而言，法國研究團(tuán)隊(duì)制備的Micro LED芯片，光從背面收集，但與P型接觸的襯底沒有覆蓋所有頂層的結(jié)構(gòu)，也沒有金屬能夠阻止光從側(cè)壁流失。同時(shí)，由于經(jīng)過背面的光需穿過超晶格、隱埋氧化物及藍(lán)寶石襯底，這一過程也影響了光提取效率。因此，光提取效率的實(shí)際數(shù)值難以預(yù)估，不過根據(jù)模擬顯示，光提取效率小于4%。

下一步，研究團(tuán)隊(duì)還需努力提升光提取效率、降低工作電壓以及提高LED的晶體質(zhì)量，才能改善Micro LED芯片的性能。盡管提升紅光Micro LED芯片效率道阻且長，但相信在研究團(tuán)隊(duì)和技術(shù)開發(fā)商的共同努力下，只要“對癥下藥”，未來終將取得更進(jìn)一步的勝利。（文：LEDinside Janice）

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