近日，由南方科技大學電子系、香港科技大學先進顯示與光電子國家重點實驗室、中科院蘇州納米所組成的聯(lián)合攻關團隊在深紫外Micro LED與超寬色域顯示技術領域取得進展，相關結果發(fā)表于電子領域頂級期刊IEEE Electron Device Letters。

基于AlGaN的深紫外Micro-LED在光電與顯示、生物醫(yī)學、大健康等領域備受矚目。在本研究中，研發(fā)團隊設計并制備了不同規(guī)格的深紫外Micro-LED陣列器件，像素尺寸從10×10 μm2 到200×200 μm2，其中10×10 μm2 的Deep-UV Micro LED在連續(xù)波發(fā)光情況下，最高亮度達到了185 W/cm2，最高外量子效率達到了3.43%，是目前同類型深紫外Micro LED器件的最高外量子效率。

此外，該研究采用深紫外Micro-LED陣列作為激發(fā)源，采用色轉換的方法使三色量子點薄膜發(fā)光，達到了Rec. 2020標準121%（或為NTSC標準179%）的超寬色域，這是目前已知顯示技術中報道的最寬色域值，展現(xiàn)了該技術在未來新型顯示領域的應用中具有很大的潛力。

原文題目：AlGaN-based Deep-UV Micro LED Array for Quantum Dots Converted Display with Ultra-wide Color Gamut

通訊作者：南方科技大學電子系 Zhaojun Liu (e-mail: liuzj@sustech.edu.cn)

論文作者：Feng Feng, Ke Zhang, Yibo Liu, Yonghong Lin, Ke Xu, Hoi Sing Kwok, and Zhaojun Liu（來源：南方科技大學）

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