6月20日，兆馳半導(dǎo)體官方宣布，公司近日在Micro LED領(lǐng)域取得了兩項(xiàng)專利技術(shù)，專利名稱分別是“一種Micro LED芯片及其制備方法”和“一種用于Micro LED芯片及其制備方法”。

其中，6月6日，兆馳半導(dǎo)體公布了“一種Micro LED芯片及其制備方法”的發(fā)明專利。

圖片來源：兆馳半導(dǎo)體

該發(fā)明提供一種Micro LED芯片及其制備方法，該方法通過將紅綠藍(lán)三色外延層制備在同一個(gè)襯底上，然后再依此制備電流擴(kuò)展層、反射墻、第一電極、布拉格反射層、第二電極及焊盤層，且所述反射墻設(shè)置于紅綠藍(lán)三色四周，使得紅綠藍(lán)三色芯片側(cè)面出光可以通過反射墻反射從襯底面射出，避免了藍(lán)光外延層吸收綠光芯片的側(cè)面出光，綠光外延層吸收紅光芯片的側(cè)面出光，造成綠光芯片和紅光芯片的亮度損失。

所述方法制備的Micro LED芯片不需要襯底剝離工藝，降低了襯底剝離工藝所需要的高額成本，同時(shí)該方法還可以同時(shí)在襯底上完成N個(gè)像素點(diǎn)，相當(dāng)于無限的縮小像素點(diǎn)之間的距離，得到更優(yōu)秀的顯示效果。

除此之外，5月23日，兆馳半導(dǎo)體還在企查查公布了“一種用于Micro LED的外延片及其制備方法”的發(fā)明專利。

圖片來源：兆馳半導(dǎo)體

該發(fā)明公開了一種用于Micro LED的外延片及其制備方法、Micro LED，涉及半導(dǎo)體光電器件領(lǐng)域。用于Micro LED的外延片包括襯底和依次設(shè)于襯底上的形核層、本征GaN層、N?GaN層、V型坑開口層、多量子阱層、電子阻擋層和P?GaN層；V型坑開口層包括依次層疊的SiO2島層、SiO2島填平層和V型坑開口延伸層；SiO2島層包括多個(gè)陣列分布于N?GaN層上的SiO2島；SiO2島填平層包括AlN層；V型坑開口延伸層為InGaN層和第一AlGaN層交替生長形成的周期性結(jié)構(gòu)。

實(shí)施該發(fā)明，可提升發(fā)光二極管的發(fā)光效率，提高抗靜電能力，提高發(fā)光波長和發(fā)光亮度均勻性。（來源：兆馳半導(dǎo)體）