基于傳統(tǒng)色轉(zhuǎn)換LED器件，色域限制在約90% NTSC以內(nèi)，顯示效果已經(jīng)難以進(jìn)一步地突破。采用量子點等新型發(fā)光材料所制成的LED器件，通過色轉(zhuǎn)換過程可實現(xiàn)紅、藍(lán)及綠波段較窄的發(fā)射半波寬（＜20 nm），色域可以超過120% NTSC，被視為下一代最有潛力的顯示技術(shù)之一。

但是，目前量子點LED器件仍缺乏有效封裝設(shè)計，在色轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)及芯片集成方面仍普遍沿用傳統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)，因此，限制了器件發(fā)光效率與穩(wěn)定性的提升。

2023年7月5日，上海芯元基半導(dǎo)體采用化學(xué)剝離GaN技術(shù)，通過特殊設(shè)計的光學(xué)反射層及量子點色轉(zhuǎn)換技術(shù)，實現(xiàn)了高良率、高效純紅光倒裝結(jié)構(gòu)和正裝結(jié)構(gòu)的量子點MiniLED芯片。該項重大技術(shù)的突破將有效降低紅光芯片的成本，提高產(chǎn)品的性價比，或?qū)⑷嫣崴倭孔狱c顯示技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程。

倒裝結(jié)構(gòu)量子點芯片技術(shù)方面，芯元基將剝離后的GaN芯片的出光面，用量子點膠水貼合到已經(jīng)加工好的特殊光學(xué)反射層基板上，該光學(xué)反射層，對激發(fā)光源的波長具有高反射率，對量子點發(fā)光的波段具有非常高的透光率，以此來實現(xiàn)紅光量子點更好激發(fā)，實現(xiàn)了紅光量子點厚度小于１微米的情況下，量子點完全激發(fā)后，紅光芯片無漏藍(lán)光等現(xiàn)象。

量子點芯片加工過程中，芯元基采用標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體制程，結(jié)合光罩對準(zhǔn)方法，在像素的側(cè)壁做有高密度的介質(zhì)層，實現(xiàn)量子點的完全密封，解決量子點在可靠度方面的顧慮。

產(chǎn)品的特性曲線如下：（芯片尺寸：2*4mil/50*100um）

特性曲線：

產(chǎn)品的發(fā)光情況及良率如下表：

表一：發(fā)光測試情況及良率：

后續(xù)，芯元基半導(dǎo)體將以此技術(shù)為基礎(chǔ)，進(jìn)一步開發(fā)與量子點色轉(zhuǎn)換層相關(guān)顯示器件技術(shù)，以達(dá)到未來高分辨率顯示系統(tǒng)的實際需求?；谠摿孔狱c技術(shù)方案，芯元基半導(dǎo)體正在為國際知名機構(gòu)開發(fā)尺寸小于0.2mm*0.2mm的量子點MIP器件。

芯元基的量子點MIP技術(shù)，在GaN晶圓的每個子像素的側(cè)壁均做有金屬電極結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)除了有利于像素的共陰極設(shè)計外，也可以更好的解決獨立子像素間的光串?dāng)_問題,在RGB量子點模板上（QDCC），采用特定結(jié)構(gòu)設(shè)計的光學(xué)反射鏡，實現(xiàn)紅光、綠光的高效激發(fā)。所有的制程均采用標(biāo)準(zhǔn)的晶圓加工工藝，不需要巨量轉(zhuǎn)移工藝，直接將晶圓芯片和QDCC模板鍵合，可更容易降低MIP的產(chǎn)業(yè)成本的同時，實現(xiàn)高可靠性的像素單元。（來源：芯元基）