天眼查顯示，近日，乾照光電取得多項LED芯片相關(guān)專利，其中包括“一種垂直結(jié)構(gòu)LED芯片”、“一種LED芯片及其制備方法”、“一種LED芯片及其制作方法”、“一種深紫外垂直結(jié)構(gòu)LED芯片及其制作方法”。

其中，“一種垂直結(jié)構(gòu)LED芯片”專利申請日為2023年4月27日，專利授權(quán)日為2023年11月28日，專利申請?zhí)枮镃N202320990535.2，授權(quán)公告號為CN220106568U。

專利摘要顯示，本實用新型提供了一種垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，在所述外延疊層表面通過介質(zhì)層+金屬反射層的配合形成了ODR全方向反射鏡，使光線被反射后從LED芯片的上表面取出，有效地提升了芯片整體反射率、增加了光提取效率。

同時，通過嵌入所述集成金屬層，在制作集成金屬層的過程中采用含Au金屬材料，并通過蝕刻的方式裸露出集成金屬層中的部分表面，該裸露部分承擔(dān)PAD功能，可以實現(xiàn)與外部的電連接。

圖片來源：天眼查

“一種LED芯片及其制備方法”專利申請日為2023年9月28日，專利授權(quán)日為2023年11月24日，專利申請?zhí)枮镃N202311267678.1，授權(quán)公告號為CN117117055A。

專利摘要顯示，本發(fā)明提供了一種LED芯片及其制備方法，通過在所述第一電極和第二電極的側(cè)壁分別設(shè)有金屬粘附層，且所述金屬粘附層與所述鈍化層之間的粘附力大于所述電極與所述鈍化層之間的粘附力。

基于此結(jié)構(gòu)，可利用第一電極/第二電極表面與鈍化層材料直接接觸時粘附性差的特點，通過藍(lán)膜對芯片表面進(jìn)行撕膜，使所述第一電極、第二電極表面的鈍化層隨著藍(lán)膜脫落，從而形成分別裸露所述第一電極和第二電極的至少部分表面的鈍化層圖形。

如此，在保證電極被鈍化層覆蓋以解決金屬逆壓遷移問題的同時，通過撕膜即可形成鈍化層圖形，減少光刻次數(shù)，簡化工藝，降低成本。

圖片來源：天眼查

“一種LED芯片及其制作方法”專利申請日為2023年7月31日，專利授權(quán)日為2023年11月7日，專利申請?zhí)枮镃N202310946636.4，授權(quán)公告號為CN117012875A。

專利摘要顯示，本發(fā)明提供了一種LED芯片及其制作方法，通過：在所述導(dǎo)電基板的表面依次設(shè)置導(dǎo)電型鍵合層、金屬反射層、介質(zhì)層、第二歐姆接觸層以及外延疊層；其中，所述介質(zhì)層具有若干個通孔，且在所述通孔內(nèi)設(shè)有第一歐姆接觸層；所述第二歐姆接觸層與所述第一歐姆接觸層形成接觸。

從而，在所述外延疊層表面通過介質(zhì)層+金屬反射層的配合形成了ODR全方向反射鏡，使光線被反射后從LED芯片的上表面取出，有效地提升了芯片整體反射率、增加了光提取效率；同時，通過所述第一歐姆接觸層、第二歐姆接觸層和通孔的配合接觸，在保證金屬反射層與外延疊層的半導(dǎo)體材料接觸的同時，可橫向阻擋所述金屬反射層和電極的金屬擴散。

圖片來源：天眼查

“一種深紫外垂直結(jié)構(gòu)LED芯片及其制作方法”專利申請日為2023年6月25日，專利授權(quán)日為2023年11月3日，專利申請?zhí)枮镃N202310749068.9，授權(quán)公告號為CN116995149A。

專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種深紫外垂直結(jié)構(gòu)LED芯片及其制作方法，通過蝕刻工藝在外延疊層形成凹槽，凹槽裸露N型AlGaN層的部分表面后，在凹槽的底面先制作N型歐姆接觸層，并對N型歐姆接觸層高溫退火使N型AlGaN層和N型歐姆接觸層合金化，形成較低的接觸勢壘，在完成N型歐姆接觸后再進(jìn)行P型金屬層和其它芯片工藝的制作，這樣可以避免N型歐姆接觸層高溫退火對深紫外垂直LED芯片其它流程產(chǎn)生負(fù)面影響，進(jìn)而提升深紫外垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的可靠性。

圖片來源：天眼查

LEDinside整理

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