近日，長(zhǎng)春理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院新型光電子器件與光源團(tuán)隊(duì)在材料領(lǐng)域頂級(jí)期刊《先進(jìn)材料》上發(fā)表題為“Phosphorescent Dye Sensitized Quantum-Dot Light-Emitting Diodes with 37% External Quantum Efficiency”的研究性文章，影響因子為29.4。

長(zhǎng)春理工大學(xué)為第一通訊單位，王艷平副教授為第一作者和第一通訊作者，吉林大學(xué)張宇教授、云南大學(xué)趙勇彪教授為共同通訊作者。

王艷平副教授攜手吉林大學(xué)張宇教授、云南大學(xué)趙勇彪教授，針對(duì)量子點(diǎn) （QDs） 的導(dǎo)帶和價(jià)帶能級(jí)較低，QDs發(fā)光層直接獲取激子會(huì)受到較差空穴注入影響，導(dǎo)致電子—空穴注入不平衡和低輻射復(fù)合速率這一難題聯(lián)合開展攻關(guān)研究，提出了以TFB: Ir（MDQ）2（acac）同時(shí)作為空穴傳輸層和激子收集器的簡(jiǎn)單且有效策略，開展了紅光QLEDs研究。優(yōu)化后的Ir（MDQ）2（acac）摻雜濃度為10 wt%，相應(yīng)紅光器件的最大外量子效率 （EQE）高達(dá)37%，這是目前非疊層結(jié)構(gòu)紅光器件EQE的新紀(jì)錄。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

為了探究器件的工作機(jī)理，研究團(tuán)隊(duì)分別從光物理、載流子轉(zhuǎn)移動(dòng)力學(xué)、薄膜形貌、能級(jí)分布以及單載流子器件的載流子輸運(yùn)特性等角度詳細(xì)分析了器件的工作機(jī)理，揭示了Ir（MDQ）2（acac）與QDs之間高效的能量傳遞機(jī)制，即Ir（MDQ）2（acac）捕獲來自相鄰QDs發(fā)光層泄漏的電子并與其自身傳輸?shù)目昭ㄐ纬杉ぷ?，收集的激子通過F?rster共振能量轉(zhuǎn)移 （FRET） 機(jī)制轉(zhuǎn)移給QDs，從而提高了器件性能。

此次在量子點(diǎn)發(fā)光二極管 （QLEDs） 研究方面取得新突破，為實(shí)現(xiàn)高效率和良好穩(wěn)定性的QLEDs提供了一種新的實(shí)用方法，得到了吉林省科技廳自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目、重慶市科技局自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目的支持。（來源：長(zhǎng)春理工大學(xué)）

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