4 月 5 日，原子層沉積（ALD）薄膜涂層技術(shù)供應(yīng)商Picosun在官網(wǎng)發(fā)文稱，在臺灣地區(qū)陽明交大開展的Micro LED研究中，Picosun 原子層沉積 (ALD) 技術(shù)在增強(qiáng)Micro LED 的電光特性方面發(fā)揮了至關(guān)重要的作用，助力Micro LED外量子效率進(jìn)一步提升與實現(xiàn)全彩化顯示。

圖片來源：Picosun官網(wǎng)

Picosun表示，使用介電薄膜作為鈍化材料是抑制懸空鍵以及提高 LED 輸出功率和外量子效率（EQE）的常用技術(shù)。陽明交大在研究中比較不同尺寸III 族氮化物Micro LED，在采用和沒有采用原子層沉積氧化鋁鈍化技術(shù)時的外量子效率。結(jié)果表明，經(jīng)原子層沉積氧化鋁鈍化處理之后，5 µm × 5 µm的 Micro LED 外量子效率提高了70%，而 10 µm ×10 µm 的Micro LED外量子效率提高了60%。

此外，為了實現(xiàn)Micro LED全彩化顯示，陽明交大團(tuán)隊開發(fā)了一種自動圖案化量子點(diǎn)的噴墨打印技術(shù)。該方案可以顯著提高彩色像素的精度，滿足高分辨率要求，并通過Picosun的 ALD鈍化技術(shù)成功防止量子點(diǎn)的光氧化降解。經(jīng)過 500 小時的環(huán)境可靠性測試后，顯示色域仍保持在較高水平。

陽明交大教授郭浩中表示，"Micro LED 一直是應(yīng)用于下一代顯示產(chǎn)品的的顛覆性技術(shù)。在越來越多的應(yīng)用領(lǐng)域中，Micro LED展現(xiàn)了其長壽命、高功效和高亮度等優(yōu)點(diǎn)。通過量子點(diǎn)技術(shù)，Micro LED 可應(yīng)用于VR/MR等領(lǐng)域，因為在這些應(yīng)用領(lǐng)域，使用單色藍(lán)光Micro LED芯片就能夠滿足需求，有利于降低產(chǎn)品制造成本。而我們的研究證明，原子層沉積鈍化技術(shù)在即將到來的納米級器件中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。"

Picosun 集團(tuán)產(chǎn)業(yè)業(yè)務(wù)領(lǐng)域副總裁 Juhana Kostamo 表示："Picosun 的原子層沉積技術(shù)已在許多知名 LED 制造商中得到生產(chǎn)驗證。原子層沉積薄膜擁有卓越的保形性和均勻性，以及在極低薄膜厚度下也能確?？煽?、無針孔封裝能力的關(guān)鍵優(yōu)勢。此外，原子層沉積工藝可以在中等溫度下運(yùn)作。"

值得注意的是，2021年6月，陽明交大郭浩中教授團(tuán)隊使用Picosun ALD設(shè)備沉積出鈍化層和阻隔膜，使UVC LED的使用壽命延長、可靠性增強(qiáng)，并改善LED昂貴的封裝程序，降低生產(chǎn)成本。

而Picosun與陽明交大保持著長期合作關(guān)系，并在2021年開展了第二期的合作計劃，持續(xù)在光電、半導(dǎo)體及生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域聯(lián)合開發(fā)ALD最新的技術(shù)應(yīng)用。（LEDinside Irving編譯）

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