12月9日，芯元基宣布公司在其獨有的化學(xué)剝離Micro LED的技術(shù)基礎(chǔ)上，成功開發(fā)出了晶圓級印章巨量轉(zhuǎn)移工藝，達(dá)到了轉(zhuǎn)移芯片位置零偏差。

圖片來源：芯元基

據(jù)悉，芯元基成立于2014年，是一家基于第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）材料自主研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)藍(lán)寶石基GaN高端薄膜結(jié)構(gòu)芯片、Mini/Micro LED芯片的公司。該公司于2021年10月正式進(jìn)入Micro LED領(lǐng)域，發(fā)展至今取得不少突破。

2022年1月，芯元基全屏點亮5μm Micro LED芯片陣列；7月27日，點亮0.12英寸 、pitch 3.75μm Micro LED芯片陣列；8月29日，點亮InGaN基紅光Micro LED芯片陣列；10月13日，實現(xiàn)0.41英寸單色Micro LED微顯示屏視頻顯示。

今年1月，芯元基實現(xiàn)0.39英寸單色Micro LED顯示屏視頻顯示；5月16日， 成功開發(fā)出了矩陣車燈用的薄膜 Micro LED芯片；7月5日，實現(xiàn)了高良率、高效純紅光倒裝結(jié)構(gòu)和正裝結(jié)構(gòu)的量子點MiniLED芯片。

客戶合作方面，去年7月，芯元基宣布與多家頭部廠家合作開發(fā)Micro LED顯示的巨量鍵合工藝，公司的Chip on Carrier產(chǎn)品和Chip on Stamp產(chǎn)品已經(jīng)通過客戶的研發(fā)樣品測試，并取得頭部廠家的相關(guān)采購訂單；今年4月，芯元基宣布最新研制的弱化結(jié)構(gòu)Micro LED芯片獲得韓國客戶小批量采購訂單。

技術(shù)方面，芯元基已形成了以藍(lán)寶石復(fù)合圖形襯底技術(shù)（DPSS）、晶面輔助側(cè)向外延生長技術(shù)、化學(xué)剝離藍(lán)寶石襯底技術(shù)和晶圓級批量轉(zhuǎn)移技術(shù)等為核心的技術(shù)體系，該技術(shù)的主要應(yīng)用方向有高端的垂直結(jié)構(gòu)薄膜LED芯片、電子功率器件及Micro LED。

項目建設(shè)方面，2020年11月，芯元基第三代半導(dǎo)體氮化鎵項目簽約安徽池州高新區(qū)，計劃分兩個階段建設(shè)。第一階段主要建設(shè)第三代半導(dǎo)體GaN基UVA及DPSS項目，總投資6億元；第二階段主要建設(shè)GaN基電子功率器件項目及Micro LED項目。

資本方面，芯元基目前已獲中微半導(dǎo)體、上海創(chuàng)徒、張江科投、張江高科、浦東科創(chuàng)、上海自貿(mào)區(qū)基金等逾億元投資。（LEDinside Mia整理）

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