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豐田合成采用堆疊InGaN材料,開發(fā)全彩MicroLED微顯示屏

近日,日本豐田合成公司(Toyoda Gosei)在單片全彩Micro LED顯示屏領(lǐng)域取得重要進(jìn)展。他們采用堆疊式銦鎵氮(InGaN)材料,實(shí)現(xiàn)了紅、綠、藍(lán)(RGB)三色發(fā)光,為未來(lái)高亮度、小型化的顯示技術(shù)鋪平了道路。

豐田合成采用堆疊InGaN材料,開發(fā)全彩MicroLED微顯示屏

圖1.(a)豐田合成所開發(fā)全彩色單片式Micro-LED的橫截面結(jié)構(gòu)示意圖。(b)沒有子像素間隔設(shè)計(jì)的子像素的電致發(fā)光(EL)圖像。(c) 設(shè)計(jì)有子像素間隔的子像素的EL圖像。(d)研究人員所開發(fā)單片式Micro-LED芯片的照片

據(jù)悉,當(dāng)前市場(chǎng)上的微型顯示屏多采用 OLED 技術(shù),但其亮度較低,在戶外或增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)眼鏡等應(yīng)用中存在局限。而 InGaN Micro LED不僅亮度更高,還能通過單片集成簡(jiǎn)化制造工藝。盡管該團(tuán)隊(duì)使用的材料再生長(zhǎng)工藝增加了制造復(fù)雜度,但相比量子點(diǎn)或隧道結(jié)等方法,它更符合半導(dǎo)體制造流程,具有更大的產(chǎn)業(yè)化潛力。

研究團(tuán)隊(duì)利用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)技術(shù)在藍(lán)寶石基板上生長(zhǎng)Micro LED芯片,并通過刻蝕和電極沉積等步驟實(shí)現(xiàn)像素分離。最終,他們制造出 96×96 像素的微型顯示屏,總尺寸僅3mm × 3mm,可用于小型顯示設(shè)備。

圖2. (a)-(c)為驅(qū)動(dòng)電流在10-200μA的范圍之間時(shí),紅色、綠色和藍(lán)色子像素的電致發(fā)光光譜。(d)為上述基于單色Micro-LED所制造顯示器在色度圖上體現(xiàn)出來(lái)的顏色再現(xiàn)能力。(e)為三種單色Micro-LED器件的電致發(fā)光圖像。(f)三種不同顏色子像素Micro-LED的電流-電壓特性

在測(cè)試中,RGB三色像素在不同電流下表現(xiàn)穩(wěn)定,但紅色像素的效率較低,僅為 0.2%,遠(yuǎn)低于綠光(2%)和藍(lán)逛逛(3%)。此外,顯示屏的色域覆蓋NTSC 標(biāo)準(zhǔn)的 69.9%,低于團(tuán)隊(duì)此前所實(shí)現(xiàn)的95.4%,這主要由于Micro LED紅光光波長(zhǎng)偏短所致。但研究人員表示,這一問題可以通過優(yōu)化紅色發(fā)光層來(lái)改善。

該團(tuán)隊(duì)還成功用該微型顯示屏播放了一張4-bit灰度的全彩圖片,并通過脈寬調(diào)制(PWM)技術(shù)優(yōu)化色彩表現(xiàn)。盡管當(dāng)前仍存在紅色亮度偏低、芯片外圍區(qū)域部分不發(fā)光的問題,但這些技術(shù)難題正在逐步優(yōu)化。

圖3. 單片式Micro LED陣列的顯示圖像

未來(lái),該技術(shù)有望應(yīng)用于AR眼鏡、虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)設(shè)備及高分辨率電子取景器等領(lǐng)域,推動(dòng)微型顯示屏邁向更高亮度、更廣色域的發(fā)展方向。(LEDinside Irving編譯)

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