2025-06-12 10:45:17 [編輯：Akwan]
近日，京東方、兆馳半導體、鐳昱光電、明陽電路、精微科技、奇力電子公布Micro LED專利申請最新進展，涉及Micro LED顯示基板、外延片、垂直堆疊全彩顯示、激光巨量轉(zhuǎn)移等技術(shù)內(nèi)容。
京東方申請Micro LED顯示基板專利，實現(xiàn)全彩圖像的顯示
國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，京東方科技集團股份有限公司、北京京東方技術(shù)開發(fā)有限公司申請一項名為“Micro LED顯示基板及其制作方法、顯示裝置”的專利，公開號CN120113372A，申請日期為2023年09月。
圖片來源：國家知識產(chǎn)權(quán)局
專利摘要顯示，該專利公開提供了一種Micro LED顯示基板及其制作方法、顯示裝置，Micro LED顯示基板包括：驅(qū)動背板、多個Micro LED結(jié)構(gòu)和多個色轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)。其中，多個Micro LED結(jié)構(gòu)間隔設置于驅(qū)動背板之上，且與驅(qū)動背板電連接；各Micro LED結(jié)構(gòu)用于出射相同顏色的光線。一個色轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)與一個Micro LED結(jié)構(gòu)相對應，各色轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)位于對應的Micro LED結(jié)構(gòu)背離驅(qū)動背板的一側(cè)，用于將對應的Micro LED結(jié)構(gòu)出射的光線轉(zhuǎn)換為設定顏色的光線，從而實現(xiàn)全彩圖像的顯示。
兆馳半導體取得Micro-LED外延片制備方法專利
國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江西兆馳半導體有限公司取得一項名為“Micro-LED外延片及其制備方法、Micro-LED”的專利，授權(quán)公告號CN119364943B，申請日期為2024年12月。
圖片來源：國家知識產(chǎn)權(quán)局
該發(fā)明公開了一種Micro-LED外延片及其制備方法、涉及半導體光電器件領(lǐng)域。其中，Micro-LED外延片依次包括襯底、緩沖層、第一翹曲調(diào)控層、非摻雜GaN層、第二翹曲調(diào)控層、N型GaN層、第三翹曲調(diào)控層、多量子阱層和P型GaN層；
所述第一翹曲調(diào)控層為三維GaN層，所述第二翹曲調(diào)控層包括交替層疊的第一Si摻GaN層和Si摻AlGaN層，所述第三翹曲調(diào)控層包括依次層疊于所述N型GaN層上的Si摻AlInGaN層和超晶格層，所述超晶格層包括交替層疊的第二Si摻GaN層和InGaN層。實施本發(fā)明，可提升Micro-LED的發(fā)光效率和波長均勻性。
鐳昱光電申請Micro-LED顯示芯片專利，提升量子效率
國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，鐳昱光電科技（蘇州）有限公司申請一項名為“Micro-LED顯示芯片、顯示裝置和制備方法”的專利，公開號CN120112035A，申請日期為2025年02月。
圖片來源：國家知識產(chǎn)權(quán)局
專利摘要顯示，本申請實施例公開了一種Micro-LED顯示芯片、顯示裝置和制備方法，Micro-LED顯示芯片包括了驅(qū)動面板、多個LED單元、多個柵格結(jié)構(gòu)和波長轉(zhuǎn)換層，而波長轉(zhuǎn)換層背離于LED單元的一側(cè)形成有粗糙層，基于此通過粗糙層的設置可以使Micro-LED顯示芯片具備更大的出光表面積，進而可以改變光的出射方向，減少光子在界面處發(fā)生全反射，增加光子透過率，從而達到提升量子效率的目的，通過提高光子透過率可以提升Micro-LED顯示芯片的顯示亮度和色彩飽和度。
明陽電路取得一種Micro-led芯板及其制備方法專利
國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳明陽電路科技股份有限公司取得一項名為“一種micro-led芯板及其制備方法”的專利，授權(quán)公告號 CN117219718B，申請日期為2023年10月。
圖片來源：國家知識產(chǎn)權(quán)局
該發(fā)明公開了一種micro-led芯板及其制備方法，其中，micro-led芯板的制備方法包括：在載板的封裝區(qū)域涂覆過濾層；在載板中內(nèi)嵌白色光源；經(jīng)過白色光源照射的過濾層形成micro-led芯片。本發(fā)明提供的一種micro-led芯板及其制備方法，通過過濾層和白色光源的設置，實現(xiàn)不micro-led芯片的效果，本申請制備方法簡單，設備成本低，能夠有效降低micro-led芯片的封裝成本，擴大micro-led顯示技術(shù)的應用范圍。
精微科技: 垂直堆疊全彩Micro-LED專利公布
國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，武漢市精微科技有限公司的“垂直堆疊全彩Micro-LED、制備方法和顯示面板”專利進入審中公布階段，公開號CN120091673A。
圖片來源：國家知識產(chǎn)權(quán)局
本發(fā)明公開了一種垂直堆疊全彩Micro-LED、制備方法和顯示面板，所述垂直堆疊全彩Micro-LED包括外延結(jié)構(gòu)和電極結(jié)構(gòu)；
外延結(jié)構(gòu)由下至上包括藍光LED外延層、綠光LED外延層和紅光LED外延層；綠光LED外延層和紅光LED外延層內(nèi)設置有直達藍光LED外延層的第一電極通孔，藍光LED外延層、綠光LED外延層和紅光LED外延層外側(cè)設置有第二電極通孔，紅光LED外延層的外側(cè)設置有第三電極通孔以及直達綠光LED外延層的第四電極通孔和第五電極通孔；電極結(jié)構(gòu)包括藍光陽極電極、紅藍光共陰極電極、紅光陽極電極、綠光陽極電極和綠光陰極電極。
奇力電子：Micro-LED微顯示巨量轉(zhuǎn)移專利進入有效授權(quán)階段
國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳奇立電子科技有限公司“Micro-LED微顯示器件激光巨量轉(zhuǎn)移方法及裝置”進入有效授權(quán)階段，公開號CN119794581A。
本發(fā)明涉及一種Micro-LED微顯示器件激光巨量轉(zhuǎn)移方法及裝置，包括以下步驟：對解離后的Micro-LED微顯示器件進行微顯示器件拍攝，得到Micro-LED微顯示器件位置和Micro-LED微顯示器件形態(tài)圖像；
圖片來源：國家知識產(chǎn)權(quán)局
基于Micro-LED微顯示器件位置和Micro-LED微顯示器件形態(tài)圖像將解離后的Micro-LED微顯示器件拾取至目標基板上，得到轉(zhuǎn)移后的Micro-LED微顯示器件陣列；對轉(zhuǎn)移后的Micro-LED微顯示器件陣列進行固定，得到固定在目標基板上的Micro-LED微顯示器件陣列；
對固定在目標基板上的Micro-LED微顯示器件陣列進行電性能測試，得到電性能參數(shù)，并將電性能參數(shù)低于電性能參數(shù)閾值的Micro-LED微顯示器件剔除出，得到合格的Micro-LED微顯示器件陣列，解決了傳統(tǒng)的轉(zhuǎn)移方法如機械轉(zhuǎn)移和印刷轉(zhuǎn)移，通常效率低下，且容易在轉(zhuǎn)移過程中損壞微小的Micro-LED微顯示器件的技術(shù)問題。（LEDinside整理）
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