6月16日，無錫先為科技宣布，公司首臺GaN MOCVD BrillMO外延設(shè)備正式發(fā)往國內(nèi)頭部的化合物半導(dǎo)體企業(yè)。

圖片來源：先為科技

資料顯示，先為科技成立于2020年12月25日，是先導(dǎo)集團(tuán)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局的關(guān)鍵企業(yè)，公司專注于化合物半導(dǎo)體外延設(shè)備的研發(fā)、制造與銷售。

先為科技目前擁有正向研發(fā)且知識產(chǎn)權(quán)自主可控的GaN MOCVD外延設(shè)備、SiC Epi外延設(shè)備，應(yīng)用于功率芯片、射頻芯片、Micro LED芯片及碳化硅功率芯片的生產(chǎn)制造。

據(jù)悉，本次發(fā)貨的GaN MOCVD BrillMO外延設(shè)備運用特有的溫場和流場設(shè)計，能實現(xiàn)高質(zhì)量的成膜效果，為功率芯片、射頻芯片、Micro LED芯片的GaN外延制造提供保障，而且設(shè)備能夠大幅提升生產(chǎn)效率，同時有效降低使用成本。（LEDinside整理）

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