近日，思坦科技、鐳昱光電、奇立電子相繼取得最新Micro LED專利，涉及集成化系統(tǒng)、微顯示芯片制備、微顯示器件像素尋址等技術(shù)內(nèi)容。

思坦科技：取得Micro-LED集成化系統(tǒng)專利

2025年6月17日消息，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳市思坦科技有限公司取得一項(xiàng)名為“Micro-LED的集成化系統(tǒng)”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN112863430B，申請(qǐng)日期為2021年02月。

圖片來(lái)源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

該發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種Micro-LED的集成化系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括：FPGA芯片，用于生成控制信號(hào)；PCB電路板，包括信號(hào)轉(zhuǎn)接電路和電源轉(zhuǎn)換電路，信號(hào)轉(zhuǎn)接電路用于接收FPGA芯片發(fā)送的控制信號(hào)，電源轉(zhuǎn)換電路用于接收FPGA芯片傳輸?shù)墓ぷ麟妷?，并將電源電源轉(zhuǎn)換為低壓模擬電壓和低壓數(shù)字電壓；Micro-LED顯示模塊，包括Micro-LED顯示陣列和Micro-LED驅(qū)動(dòng)芯片，Micro-LED驅(qū)動(dòng)芯片用于根據(jù)信號(hào)轉(zhuǎn)接電路發(fā)送的控制信號(hào)、電源轉(zhuǎn)換電路發(fā)送的低壓模擬電壓和低壓數(shù)字電壓驅(qū)動(dòng)Micro-LED顯示陣列點(diǎn)亮。本發(fā)明實(shí)施例實(shí)現(xiàn)了Micro-LED顯示系統(tǒng)的小型集成化。

鐳昱光電：取得Micro LED微顯示芯片及其制備方法專利

2025年6月20日消息，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，鐳昱光電科技（蘇州）有限公司取得一項(xiàng)名為“Micro LED微顯示芯片及其制備方法”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN119730528B，申請(qǐng)日期為2025年02月。

圖片來(lái)源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

該發(fā)明申請(qǐng)涉及顯示芯片技術(shù)領(lǐng)域，提出一種Micro LED微顯示芯片及其制備方法，微顯示芯片包括驅(qū)動(dòng)基板和設(shè)置于驅(qū)動(dòng)基板上的發(fā)光結(jié)構(gòu)；發(fā)光結(jié)構(gòu)包括：彼此間隔排布于驅(qū)動(dòng)基板上的多個(gè)LED單元，每個(gè)LED單元能夠由驅(qū)動(dòng)基板分別單獨(dú)驅(qū)動(dòng)，多個(gè)LED單元具有一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)LED臺(tái)面；第一柵欄結(jié)構(gòu)，第一柵欄結(jié)構(gòu)具有多個(gè)第一柵格孔，多個(gè)第一柵格孔分別圍繞多個(gè)LED臺(tái)面，第一柵欄結(jié)構(gòu)高于多個(gè)LED單元；設(shè)置于第一柵欄結(jié)構(gòu)上的光學(xué)層，LED臺(tái)面和光學(xué)層在對(duì)應(yīng)的第一柵格孔處形成空腔區(qū)域。以簡(jiǎn)單工藝形成空腔區(qū)域，降低LED單元的發(fā)熱傳導(dǎo)至上方的光轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，不僅提升微顯示芯片的使用壽命，還降低了制造成本。

奇立電子：取得超高像素密度Micro-LED微顯示器件像素尋址相關(guān)專利

6月20日消息，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳奇立電子科技有限公司取得一項(xiàng)名為“超高像素密度Micro-LED微顯示器件像素尋址方法及裝置”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN119785703B，申請(qǐng)日期為2025年03月。

圖片來(lái)源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

該發(fā)明涉及一種超高像素密度Micro-LED微顯示器件像素尋址方法及裝置。該方法：對(duì)Micro-LED微顯示器件的像素陣列結(jié)構(gòu)參數(shù)進(jìn)行補(bǔ)償參數(shù)采集，得到像素補(bǔ)償基準(zhǔn)值；對(duì)閾值電壓偏差分布特征進(jìn)行補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)構(gòu)建，得到閾值電壓補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)；對(duì)供電金屬走線進(jìn)行分段設(shè)計(jì)，得到IR Drop補(bǔ)償參數(shù)；通過(guò)雙層補(bǔ)償因子的馬爾科夫決策推理模型進(jìn)行工藝補(bǔ)償計(jì)算，得到工藝補(bǔ)償數(shù)據(jù)；進(jìn)行尋址控制的時(shí)序優(yōu)化，得到行列掃描信號(hào)時(shí)序參數(shù)；對(duì)行列掃描信號(hào)時(shí)序參數(shù)進(jìn)行光電特性測(cè)試，采集顯示均勻性數(shù)據(jù)，并通過(guò)補(bǔ)償參數(shù)評(píng)估得到目標(biāo)補(bǔ)償配置參數(shù)。本發(fā)明的實(shí)施在降低芯片引腳數(shù)量的同時(shí)保證了驅(qū)動(dòng)時(shí)序的穩(wěn)定性。（LEDinside整理）

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