從瑞典隆德大學(xué)獨立出的Micro LED新創(chuàng)公司Glo，自從接受了Google的投資資金后，沉寂了一段時間。去年開始積極展出與各策略合作伙伴共同開發(fā)的Micro LED顯示器。本次LEDinside有榮幸在CES展會當(dāng)中，對Glo-USA的CEO Saket Chadda進(jìn)行訪談，并了解該公司目前的研究進(jìn)展。

本次展品當(dāng)中，Glo展示出了在不同技術(shù)平臺上打造Micro LED顯示器，包括在TFT背板上所開發(fā)的幾款展品，分別是1.6吋與1.8吋的全彩Micro LED顯示器。該兩款顯示器分別與日本的JDI與Kyocera合作。采用TFT玻璃背板，而PPI大約在200~300之間。Glo下一階段的目標(biāo)是開發(fā)2.5吋以上的全彩Micro LED顯示器。

此外，有別于其他競爭對手在AR/VR產(chǎn)品上還是只能夠展示出單色的Micro LED顯示器，Glo本次則是展示出了應(yīng)用在AR/VR等頭戴裝置上的全彩Micro LED顯示器，并且采用了RGB LED的技術(shù)來實現(xiàn)全彩化。本款展品采用了0.7吋的CMOS背板打造出全彩Micro LED顯示器，采用的RGB LED芯片尺寸僅有10*10um。但PPI達(dá)到了525，畫面灰度也高達(dá)了10,000 nits左右。雖然這規(guī)格離品牌廠商所要求的AR規(guī)格仍有差距，但是已經(jīng)在全彩的Micro LED顯示器上展示出了可行的技術(shù)路徑。

由于現(xiàn)階段的Micro LED顯示器技術(shù)瓶頸包括了巨量轉(zhuǎn)移能力，以及LED芯片縮小后的效率問題。Glo的Saket Chadda提到，Glo的技術(shù)特點是在GaN Base的材料上，生長RGB全彩的Micro LED芯片，藉此來克服GaAs Base紅光LED的材料特性問題。因此才得以實現(xiàn)高PPI下的全彩Micro LED顯示器。而極高的LED良率以及特殊的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)，完成27000顆的Micro LED轉(zhuǎn)移，也僅需耗時20分鐘。

至于最關(guān)鍵的量產(chǎn)時程問題，Saket Chadda也提到，內(nèi)部目標(biāo)是希望在2020年底能夠?qū)R/VR或者智慧手表等小面積的Micro LED顯示器實現(xiàn)量產(chǎn)化。而目前的Glo也保持開放態(tài)度，希望尋找更多的戰(zhàn)略伙伴共同開發(fā)更新的應(yīng)用產(chǎn)品。

文：LEDinside Roger

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