Micro LED被譽為是下一世代最重要的顯示技術(shù)之一，由于Micro LED的性能優(yōu)良，可應(yīng)用在穿戴式的手表、手機、車用顯示器、擴增實境/虛擬實境、顯示屏及電視…等領(lǐng)域，但因為目前Micro LED 所面臨的技術(shù)瓶頸，設(shè)備、材料、面板與品牌廠商更需攜手合作共同開發(fā)。LEDinside有此榮幸與機會訪問到VEECO資深副總與技術(shù)長Dr. Ajit Paranjpe，談及目前Micro LED在磊晶發(fā)展上所面臨到的技術(shù)瓶頸。

（圖片來源：VEECO）

Ajit提到MOCVD應(yīng)用于Micro LED產(chǎn)業(yè)之成功關(guān)鍵因素取決于波長均勻性(Wavelength Uniformity)與低缺陷密度的要求(Low Defect Density)以及降低成本。

依照一般顯示產(chǎn)業(yè)的要求，至少一定是要小于10個像素壞點(Dead Pixels)。因此對于LED磊晶的良率要求必須非常高，才有辦法減少壞點出現(xiàn)的機會。而在磊晶上壞點缺陷(Defect Density)的控制上，目前Veeco已經(jīng)可以控制在每一平方公分之下小于一個壞點。

至于在波長均一性部分，雖然對傳統(tǒng)LED來說，可以使用挑檢(Sorting)與分選(Binning)，然而對于Micro LED來說，芯片微縮到極小，已經(jīng)相當(dāng)難以使用挑檢(Sorting)與分選(Binning) ，因此在LED磊晶生產(chǎn)上更要求極高均勻性。通常一般LED晶圓片與晶圓片的均勻性要求在8nm-10nm左右，依照一般顯示器行業(yè)要求，在顯示器成像顏色均勻性上的要求，須達(dá)到1-2nm LED磊晶波長均勻性(Wafer Uniformity)，仍需視不同顯示器而定。然輔以適當(dāng)?shù)霓D(zhuǎn)移技術(shù)，現(xiàn)階段Micro LED的晶圓片之間的波長均一性大約可以達(dá)到3-5nm，因此離顯示廠商要求還有段差距，需要透過LED磊晶廠商與轉(zhuǎn)移廠商的合作。

另外，除了在產(chǎn)品效能上的考量之外，對于LED廠商同時也在思考設(shè)備營運成本的最適性。因此Veeco也致力于協(xié)助廠商降低營運成本。VEECO目前于市面上推出兩款機臺，分別為Propel enLight GaN MOCVD Syste系統(tǒng)與EPIK 868提供更好的營運成本(Cost of Ownership)，因應(yīng)市場需求。Propel enLight GaN MOCVD System可達(dá)到200mm八英寸晶圓片生產(chǎn)，而EPIK 868 可達(dá)到150mm六英寸晶圓片生產(chǎn)。

（圖片來源：VEECO）

針對于GaN on Si LED晶圓片生產(chǎn)上， Ajit提到目前最大可采用八英寸GaN on Si LED生產(chǎn)，在3nm 的波長均勻性下，可達(dá)到90%的生產(chǎn)良率。GaN on Si LED晶圓片生產(chǎn)的優(yōu)點為可簡易移除基板，達(dá)到晶圓黏接 (Wafer Bonding)，搭配QD等色彩轉(zhuǎn)換層即可達(dá)到全彩化的顯示影像。應(yīng)用在為HUD投影市場更能提高相當(dāng)高的分辨率。

Ajit提到，觀察現(xiàn)階段技術(shù)與產(chǎn)品要求，認(rèn)為顯示屏導(dǎo)入Micro LED長期將可降低制造成本與提高更好的影像顯示效果；其次為車用抬頭顯示器將可提高亮度與更寬廣的可視角度 (Field of View)，為駕駛者帶來不同以往的駕駛體驗；而擴增實境則可以提供更高的亮度；并且認(rèn)為在75-100英寸以上的電視將會是導(dǎo)入Micro LED技術(shù)上的甜蜜點；而最后手機受限于高分辨率與成本因素，將會是最后的市場機會。

VEECO已成功和各國家廠商合作Micro LED用MOCVD設(shè)備使用，同時，VEECO因應(yīng)Micro LED產(chǎn)業(yè)，除了MOCVD磊晶設(shè)備，也計劃朝向不同制程階段上的技術(shù)支援與服務(wù)。（文：Roger, Joanne / LEDinside）

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